QUALCOMM Apple SI alimentation d'énergie IC WTR1625 WTR4905 WTR3925 WTR5975

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QUALCOMM WTR1625 WTR4905 WTR3925 WTR5975 17+ approprié à Apple SI alimentation d'énergie IC

Descriptions

WTR3925

Il y a quelques choses qui sont importantes en parlant d'un émetteur-récepteur. Pour récapituler, les émetteurs-récepteurs ont quelques éléments clé. Sur recevez le côté, nous voient l'utilité des amplificateurs à faible bruit, des vers le bas-convertisseurs, et des amplificateurs à bande étroite. Sur transmettez le côté, nous ont besoin d'un amplificateur de conducteur, d'un -convertisseur, et d'un ensemble différent d'amplificateurs à bande étroite. Tandis que la majeure partie de RF360 est construite sur des noeuds relativement vieux de processus pour la technologie de CMOS, l'émetteur-récepteur peut être construit sur de plus nouveaux processus de CMOS parce qu'il est ne doit pas manipuler le niveau du signal que le reste de l'embout avant fait.

À un haut niveau, le WTR3925 apporte vraiment deux nouvelles capacités à la table. D'abord, il élimine le besoin d'émetteur-récepteur de compagnon afin de réaliser l'agrégation de transporteur, que la combinaison WTR1625L/WFR1620 a fournie. Il semble que c'est dû au besoin de ports supplémentaires sur l'émetteur-récepteur, du lequel le WTR1625L a manqué. L'autre amélioration est que WTR3925 se déplace à un nouveau processus de 28nm rf, par opposition au processus de 65nm rf utilisé pour le WTR1625L.

Comme aparté rapide, les processus de rf sont en grande partie semblables aux processus de CMOS, bien qu'avec quelques modifications. Ces changements peuvent être un métal plus épais relie ensemble dedans entre les transistors et les memcaps, qui sont analogues aux condensateurs dans la DRACHME. Qualcomm réclame que ceci entraînera une réduction la puissance, cependant c'est un produit d'une nouvelle architecture qui tire profit du noeud de processus plus petit. À la différence de la logique numérique telle que ce que nous voyons sur la bande de base, le rf ne tire pas bénéfice directement du mesurage aux processus inférieurs. En fait, il y a une occasion que le mesurage pour abaisser des noeuds de processus peut blesser la puissance parce que quoique le transistor puisse fonctionner plus rapidement, il y a plus de bruit en raison de ce bruit, les amplificateurs dans les émetteurs-récepteurs peut avoir besoin de plus d'étapes et de plus de puissance afin de réaliser le même chiffre de bruit.

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